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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 208W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIHB21N65EF-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHB21N65EF-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 13A
Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 208W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 106nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 53A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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