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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,7A; Idm: 11A; 69W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIHB4N80E-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHB4N80E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 2,7A
Widerstand im Leitungszustand: 1,27Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 69W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 32nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 11A
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