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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIHD14N60E-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHD14N60E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK;TO252
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 8A
Widerstand im Leitungszustand: 309mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 147W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 64nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 32A
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