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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,2A; Idm: 10A; 62,5W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIHD6N80AE-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHD6N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK;TO252
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 3,2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 62,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 22,5nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 10A
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