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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2,3A; Idm: 14A; 125W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIHFBF30S-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHFBF30S-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 900V
Drainstrom: 2,3A
Widerstand im Leitungszustand: 3,7Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 78nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 14A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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