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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 156W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIHH125N60EF-T1GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHH125N60EF-T1GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 8x8L
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 14A
Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 156W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 47nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 66A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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