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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 56W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIHH14N65E-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHH14N65E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 8x8L
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 0,26Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 56W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 96nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 38A
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