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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 60A; 88W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIHL530STRR-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHL530STRR-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 11A
Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 88W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 28nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: 60A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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