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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIHP17N80E-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHP17N80E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 0,29Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 208W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 122nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 45A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet
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