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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 302A; Idm: 500A


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIJH5800E-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIJH5800E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 8x8L
Drain-Source Spannung: 80V
Drainstrom: 302A
Widerstand im Leitungszustand: 1,58mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 333W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 155nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 500A
Die Konditionen im Überblick1
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Preis gilt ab 10 Packungen
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.