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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A


Menge:  Packungen  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIR104LDP-T1-RE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR104LDP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 81A
Widerstand im Leitungszustand: 7,7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 100W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 110nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 200A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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