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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A

Menge:

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
2805-SIR140DP-T1-RE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIR140DP-T1-RE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 25V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 0,9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 104W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 170nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 500A

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Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, smd transistor

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