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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A; 26,7W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIR426DP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR426DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 30A
Widerstand im Leitungszustand: 10,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 26,7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 31nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 70A
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