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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 18,6A; Idm: 50A


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIR624DP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR624DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 18,6A
Widerstand im Leitungszustand: 64mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 52W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 30nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 50A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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