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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIR638ADP-T1-RE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR638ADP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 1,16mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 104W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 165nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 400A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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