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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIR804DP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR804DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 60A
Widerstand im Leitungszustand: 10,3mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 104W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 76nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 100A
Die Konditionen im Überblick1
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.