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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
2805-SIRA90DP-T1-RE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIRA90DP-T1-RE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 1,15mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 66,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 153nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -16...20V
Drainstrom im Impuls: 400A

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Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, smd transistor

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