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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30,6A; Idm: 70A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIS322DNT-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIS322DNT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 1212-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 30,6A
Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 12,7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 21,5nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -16...20V
Drainstrom im Impuls: 70A
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