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Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 150V; 16A; Idm: 50A; 33W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIS888DN-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIS888DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 1212-8
Drain-Source Spannung: 150V
Drainstrom: 16A
Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 33W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 14,5nC
Technologie: ThunderFET
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 50A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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