Kategorien
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Warenkorb
 
 

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 120A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     2805-SISF00DN-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SISF00DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 1212-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 60A
Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 44,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 53nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -16...20V
Drainstrom im Impuls: 120A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
Angebote (2)
Lagerstand
Versand
Staffelpreis
Einzelpreis
^
Lager 2805
€ 6,90*
ab € 0,79*
€ 1,82*
47 Tage
nicht lagernd
€ 14,99*
ab € 0,542*
€ 2,15*
Preise: Lager 2805
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
1 Stück
€ 1,82*
€ 2,17
pro Stück
ab 5 Stück
€ 1,63*
€ 1,94
pro Stück
ab 10 Stück
€ 1,53*
€ 1,82
pro Stück
ab 25 Stück
€ 1,32*
€ 1,57
pro Stück
ab 50 Stück
€ 1,24*
€ 1,48
pro Stück
ab 100 Stück
€ 1,03*
€ 1,23
pro Stück
ab 200 Stück
€ 0,98*
€ 1,17
pro Stück
ab 500 Stück
€ 0,96*
€ 1,14
pro Stück
ab 30000 Stück
€ 0,79*
€ 0,94
pro Stück
Lagerstand: Lager 2805
Versand: Lager 2805
Lassen Sie sich detailliertere Lagerstands-Informationen anzeigen.
Bestellwert
Versand
ab € 0,00*
€ 6,90*
Rückgaberechte für diesen Artikel: Lager 2805
Dieser Artikel ist von der Stornierung, dem Umtausch und der Rückgabe ausgeschlossen.
Die Gewährleistungsfrist laut AGB bleibt unabhängig der angegebenen Rückgaberechte bestehen.
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.