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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SISF06DN-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SISF06DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 1212-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 81A
Widerstand im Leitungszustand: 6,95mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 44,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 45nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -16...20V
Drainstrom im Impuls: 190A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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