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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 36W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SISS28DN-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SISS28DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 1212-8
Drain-Source Spannung: 25V
Drainstrom: 60A
Widerstand im Leitungszustand: 2,24mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 36W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 75nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -12...16V
Drainstrom im Impuls: 150A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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