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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 38A; Idm: 80A


Menge:  Packungen  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-SIZ250DT-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIZ250DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 38A
Widerstand im Leitungszustand: 18,87/18,11mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 33W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 21nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 80A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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