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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17/30A


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIZ346DT-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIZ346DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 17/30A
Widerstand im Leitungszustand: 15,3/37mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 16/16,7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 10/20nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 25...100A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.