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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4,3A; Idm: 17A; 1W; SOT23

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4,3A; Idm: 17A; 1W; SOT23

Artikel-Nr.:
2805-SQ2362ES-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SQ2362ES-T1_GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 4,3A
Widerstand im Leitungszustand: 147mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 12nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 17A

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet sot-23

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