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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1,25W; uDFN6


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SSM6K504NU
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     SSM6K504NU,LF(T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: TOSHIBA
Montage: SMD
Gehäuse: uDFN6
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 9A
Widerstand im Leitungszustand: 26mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 4,8nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 18A
Die Konditionen im Überblick1
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