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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5,6A; Idm: 36A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5,6A; Idm: 36A
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5,6A; Idm: 36A
Artikel-Nr.:
     2805-STB11N65M5
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STB11N65M5
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 5,6A
Widerstand im Leitungszustand: 0,48Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 85W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 17nC
Technologie: MDmesh™ M5
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 36A
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