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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6,3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6,3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6,3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     2805-STB11NK50ZT4
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STB11NK50ZT4
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 6,3A
Widerstand im Leitungszustand: 0,52Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Einheitspreis: Nein
Ausführung: ESD
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: SuperMesh™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 40A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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