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Transistor: IGBT; 1,2kV; 50A; 535W; MAX247


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-STGYA50H120DF2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGYA50H120DF2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: MAX247
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 50A
Kollektorstrom im Impuls: 200A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 535W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 0,21µC
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