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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Artikel-Nr.:
     2805-STP10N80K5
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP10N80K5
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 6A
Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 130W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 22nC
Technologie: MDmesh™ K5
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 36A
Weitere Suchbegriffe: 800v mosfet, mosfet, stm mosfet
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