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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6,6A; 190W; TO220-3; ESD


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6,6A; 190W; TO220-3; ESD
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6,6A; 190W; TO220-3; ESD
Artikel-Nr.:
     2805-STP12NK80Z
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP12NK80Z
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 6,6A
Widerstand im Leitungszustand: 0,75Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 190W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Ausführung: ESD
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: SuperMesh™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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