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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8,19A; 2,3W; DPAK,TO252


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8,19A; 2,3W; DPAK,TO252
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8,19A; 2,3W; DPAK,TO252
Artikel-Nr.:
     2805-SUD19P06-60-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUD19P06-60-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK;TO252
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -8,19A
Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 2,3W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 26nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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