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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-SUM70060E-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUM70060E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 131A
Widerstand im Leitungszustand: 6,2mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 375W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 81nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 240A
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