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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 200A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SUM90N03-2M2P-E3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUM90N03-2M2P-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 90A
Widerstand im Leitungszustand: 2,7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 257nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 200A
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