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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     2805-TK100E10N1
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TK100E10N1,S1X(S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: TOSHIBA
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 2,8mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 255W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 0,14µC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: toshiba mosfet, mosfet
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