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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Artikel-Nr.:
     2805-TK110P10PL
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TK110P10PL,RQ(S2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: TOSHIBA
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 60A
Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 75W
Polarisierung: unipolar
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 160A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, toshiba mosfet, smd transistor
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