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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1,4A; Idm: 5,6A; 1W; TUMT6


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-US6K2TR
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     US6K2TR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TUMT6
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 1,4A
Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 1,4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 5,6A
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