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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-WMM4N90D1-CYG
Hersteller:
     WAYON
Herst.-Nr.:
     WMM4N90D1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: WAYON
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Drain-Source Spannung: 900V
Drainstrom: 4A
Widerstand im Leitungszustand: 2,9Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 65W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 26nC
Technologie: WMOS™ D1
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 16A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 900v, smd transistor
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