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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10,5A; 85W; TO262


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10,5A; 85W; TO262
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10,5A; 85W; TO262
Artikel-Nr.:
     2805-WMN11N80M3-CYG
Hersteller:
     WAYON
Herst.-Nr.:
     WMN11N80M3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: WAYON
Montage: THT
Gehäuse: TO262
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 10,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 85W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Technologie: WMOS™ M3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Weitere Suchbegriffe: 800v mosfet, mosfet, transistor 800v
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