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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 45,8W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-WMO6N80D1-CYG
Hersteller:
     WAYON
Herst.-Nr.:
     WMO6N80D1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: WAYON
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 6A
Widerstand im Leitungszustand: 2,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 45,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 29nC
Technologie: WMOS™ D1
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 24A
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