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| Artikel-Nr.: 4502-74P0706 Herst.-Nr.: IXA33IF1200HB EAN/GTIN: 4099891775711 |
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![](/p.gif) | IGBT, IXA33IF1200HB, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, Hochgeschwindigkeitsschaltfähigkeit, geringen Gesamtenergieverlust und niedrige Stromabfallzeiten aus. Der Temperaturkoeffizient der Kollektor-Emitter-Spannung ist positiv, so dass die Entwickler mehrere Bauelemente parallel einsetzen können, um hohe Stromanforderungen zu erfüllen. Features * Einfaches Parallelisieren aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der eingeschalteten Spannung * Dünnwafertechnologie in Kombination mit dem XPT-Design ergibt einen wettbewerbsfähigen niedrigen VCE(sat) Anwendungen * AC-Motorantriebe * Solarwechselrichter * Medizinische Ausrüstungen * Unterbrechungsfreie Stromversorgung * Klimatisierungssysteme * Ausrüstung zum Schweißen * Schaltnetzteile und Resonanznetzteile * Induktive Erwärmung, Herde * Pumpen, Ventilatoren Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Ausführung: | Einfach | Gehäuse: | TO-247 | max. Spannung: | 1200 V | max. Strom: | 58 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -40 °C | Montage: | THT | Sättigungsspannung: | 1.8 V | Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ.: | 3 mJ | Schaltverlust b. Einschalten Eon typ.: | 2.5 mJ | Verlustleistung VA (AC): | 250 W | Ursprungsland: | PH | Gewicht: | 0.006 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente |
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