IGBT, 3000 V, 24 A, I4-PAK, Littelfuse IXBF42N300

IGBT, IXBF42N300, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Sättigungsspannung und des Durchlassspannungsabfalls der inneren Diode ideal für den Parallelbetrieb. Darüber hinaus dient diese "freie" intrinsische Body-Diode als Schutzdiode, die einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom bietet, wenn das Gerät ausgeschaltet ist, und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten das Gerät beschädigen. Features * Hohe Leistungsdichte * Hochfrequenzbetrieb * Geringe Leitungsverluste * MOS-Gate für einfache Ansteuerung einschalten * Leicht zu montieren Anwendungen * Schaltnetzteile und Resonanznetzteile * Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) * Laser- und Röntgenstrahlgeneratoren * Kondensator-Entladeschaltungen * Stromkreise für Hochspannungsimpulsgeber * Hochspannungsprüfgeräte * AC-Schalter