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| Artikel-Nr.: 4502-74P0737 Herst.-Nr.: IXBT2N250 EAN/GTIN: 4099891776022 |
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![](/p.gif) | IGBT, IXBT2N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Sättigungsspannung und des Durchlassspannungsabfalls der inneren Diode ideal für den Parallelbetrieb. Darüber hinaus dient diese "freie" intrinsische Body-Diode als Schutzdiode, die einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom bietet, wenn das Gerät ausgeschaltet ist, und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten das Gerät beschädigen. Features * Hohe Leistungsdichte * Hochfrequenzbetrieb * Geringe Leitungsverluste * MOS-Gate für einfache Ansteuerung einschalten * Einfach zu montieren Anwendungen * Schaltnetzteile und Resonanznetzteile * Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) * Laser- und Röntgenstrahlgeneratoren * Kondensator-Entladeschaltungen * Stromkreise für Hochspannungsimpulsgeber * Hochspannungsprüfgeräte * AC-Schalter Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Ausführung: | Einfach | Gehäuse: | TO-247-3 | max. Spannung: | 2500 V | max. Strom: | 2 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | SMD | Sättigungsspannung: | 3.8 V | Verlustleistung VA (AC): | 32 W | Ursprungsland: | PH | Gewicht: | 0.004 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente |
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