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IGBT, IXGX55N120A3H1


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Produktinformationen
IGBT, IXGX55N120A3H1
IGBT, IXGX55N120A3H1
Artikel-Nr.:
     4502-74P0827
Hersteller:
     Littelfuse
Herst.-Nr.:
     IXGX55N120A3H1
EAN/GTIN:
     4099891776923
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Germaniumdiode
IGBT
Schalttransistor
Transistor
IGBT, IXGX55N120A3H1, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsanforderungen. Features * Optimiert für niedrige Leitungsverluste * Antiparallele ultraschnelle Diode Anwendungen * Leistungsinverter * UPS * Motorische Antriebe * SMPS * PFC-Schaltungen * Batterieladegeräte * Schweissmaschinen * Lampenvorschaltgeräte * Einschaltstrom-Schutzschaltungen
Weitere Informationen:
Gehäuse:
TO-247 PLUS
max. Spannung:
1200 V
max. Strom:
125 A
max. Temperatur:
150 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
THT
Sättigungsspannung:
2.3 V
Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ.:
29 mJ
Schaltverlust b. Einschalten Eon typ.:
9.5 mJ
Verlustleistung VA (AC):
480 W
Ursprungsland:
KR
Gewicht:
0.006 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: igbt, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente
Die Konditionen im Überblick1
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