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Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 N-Kanal 200W TO-247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     615-Q85832
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFP3710PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Dieser Transistor ist µC-, TTL- und CMOS-kompatibel. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Hinweise:
+ Abbildung ähnlich
Weitere Informationen:
Kanäle:
1
R(DS)(on):
25 mΩ
Herst.-Abk.:
INF
Montageart:
Durchführungsloch
I(d):
57 A
C(ISS):
3000 pF
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
Q(G):
190 nC
Transistor-Merkmal:
Standard
R(DS)(on) Referenz-Strom:
28 A
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
Ausführung:
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT):
200 W
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Hersteller:
Infineon Technologies
Gehäuse:
TO-247-3
Serie:
HEXFET®
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: Transistor, leistungs-mosfet, Infineon Technologies, 541-1584, International Rectifier
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