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| Artikel-Nr.: 8802-1007002 Herst.-Nr.: 2N7002K EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | - Technologie: N-CHANNEL POWER MOSFET
- Details: Plastic-Encapsulate
- Details: ESD protected
- Drain-Source-Spannung: 60 V
- Drain-Gate-Spannung: 60 V
- Gate-Source-Spannung: +/-20 V
- Drainstrom: 340 mA
- max. Drainstrom: 800 mA
- Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 0,35 W
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 1,1 Ohm
- max. Eingangskapazität: 40 pF
- Sperrverzug: 26 nS
- Einschaltzeit: 3 nS
- Betriebstemperatur: -65 - 150 °C
Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Gehäuse: | SOT23 | RoHS-konfomität: | Ja | Technologie: | N-CHANNEL POWER MOSFET | Montageart: | Oberflächenmontage | Herstellerverpackungseinheit: | 3000 Stück |
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