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  IGBT-Module (1.142 Artikel)

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Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 6,5kV; Ic: 500A; HIPAK; SPT+ (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 6,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 5...
ABB
5SNA 0500J650300
ab € 1.585,72*
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Modul: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SKiiP® 3 Versorgungsspannung: 13...30V DC Frequenz: 15kHz Ausgangsstrom: 1,2kA Ausgangs-Art: Steuerung IGBT Anwendung: for medium and high power application Ei...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 1213GB123-2DL 20452131
ab € 1.513,55*
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Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 3,3kV; Ic: 1,2kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1...
ABB
5SNA 1200E330100
ab € 1.477,11*
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Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 3,3kV; Ic: 1kA (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1kA Ko...
ABB
5SNE 1000E330300
ab € 1.475,92*
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Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 6,5kV; Ic: 400A; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 6,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 4...
ABB
5SNA 0400J650100
ab € 1.475,37*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX®33c Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GD176HDC 27890435
ab € 1.457,63*
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Module: gate driver adapter; PCB (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Montage: PCB Anwendung: for medium and high power application Einheitspreis: Nein Modul-Typ: gate driver adapter
SEMIKRON DANFOSS
BOARD 63 GD SKYPER 42 LJ R L5063201
ab € 1.457,02*
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Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 3,3kV; Ic: 800A (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A K...
ABB
5SNE 0800E330100
ab € 1.455,64*
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Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 4,5kV; Ic: 800A; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8...
ABB
5SNA 0800J450300
ab € 1.437,08*
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Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 2,4kA (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2,4kA ...
ABB
5SNE 2400E170300
ab € 1.383,46*
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Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 4,5kV; Ic: 650A; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 6...
ABB
5SNA 0650J450300
ab € 1.331,24*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT x2; Urmax: 3,3kV; Ic: 500A (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 500A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Ein...
ABB
5SND 0500N330300
ab € 1.319,55*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX®33c Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX503GD126HDC 27890740
ab € 1.282,61*
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 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX®33c Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GD12E4C 27890212
ab € 1.231,71*
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Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 1,6kA (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1,6kA ...
ABB
5SNE 1600E170300
ab € 1.226,16*
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