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  IGBT-Module (1.142 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom ...
Infineon
FP15R12W1T4_B3
ab € 28,57*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 0 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 03NAC12T4V1 25232540
ab € 56,08*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 6A Kollektorstrom i...
Infineon
FP06R12W1T4B3BOMA1
ab € 30,95*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 0 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 03NAC126V1 25230870
ab € 66,93*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom ...
Infineon
FP10R12W1T7B11BOMA1
ab € 27,44*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 0 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 4A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 02NAC12T4V1 25232530
ab € 56,78*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 0 Leistung: 2,2kW Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kol...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 02NAC066V3 25232320
ab € 51,97*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 0 Leistung: 1,5kW Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 6A Koll...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 01NAC066V3 25232340
ab € 48,28*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-phase PFC; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 65A Anwendung: Wechselrichter Einheits...
IXYS
VUI30-12N1
ab € 29,46*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 3 Leistung: 30kW Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 118A Kol...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 39AC126V20 25230940
ab € 406,35*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; Brücke H; Urmax: 1,2kV; Ic: 125A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E3-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 125A Kollektorstrom im Impuls: 200A Verl...
IXYS
MKI100-12F8
ab € 166,46*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Brücke H; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS6 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKM25GAH125D 21917990
ab € 153,45*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Halbbrücke MOSFET + Reihendioden (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: Dual INT-A-Pak Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impuls: ...
Vishay
VS-GT300YH120N
ab € 169,98*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 186A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GBD126D 22891102
ab € 138,44*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV; SMT (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXA20PG1200DHGLB
ab € 8,06*
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