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  IGBT-Module (1.141 Artikel)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 47A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 47A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT47GA60JD40
ab € 30,71*
pro Stück
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge (2 Angebote) 
Hersteller: POWER INTEGRATIONS Montage: Stiftleiste Betriebstemperatur: -40...85°C Versorgungsspannung: 14,5...15,5V DC Frequenz: 50kHz Ausgangsstrom: 8A Ausgangs-Art: Steuerung IGBT Eigenschafte i...
Power Integrations
2SC0108T2F1-17
ab € 30,75*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 46A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 46A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GP60J
ab € 30,82*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 76A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 76A Kollektorstrom im Impuls: 480A V...
IXYS
IXYN100N120B3H1
ab € 30,86*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1200V (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: C1 34mm Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstr...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD75HFY120C1S
ab € 30,90*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY1B-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 6A Kollektorstrom i...
Infineon
FP06R12W1T4B3BOMA1
ab € 30,95*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 123A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 123A Kollektorstrom...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT150GN60J
ab € 31,05*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 63A Kollektorstrom im Impuls:...
Powersem
PSI 100/06
ab € 31,13*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 75A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GAL063D
ab € 31,19*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 46A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 46A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GP60JDQ2
ab € 31,22*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Impuls: 240A V...
IXYS
IXGN50N120C3H1
ab € 31,25*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Brücke H; Urmax: 600V; Ic: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E2-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Impuls: 100A ...
IXYS
MKI50-06A7T
ab € 31,26*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 900V; Ic: 70A; SOT227B (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 900V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 70A Kollektorstrom im Impuls: 340A Ve...
IXYS
IXYN80N90C3H1
ab € 31,35*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 29A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 29A Kollektorstrom im Impuls: 60A Anwend...
IXYS
MUBW35-06A6K
ab € 31,36*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60GA60JD60
ab € 31,44*
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