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  N-Kanal-Transistoren SMD (1.791 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung: ...
Vishay
SIS402DN-T1-GE3
ab € 0,83*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 36W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisierung: uni...
Vishay
SIR402DP-T1-GE3
ab € 1.978,26*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 36,4A; Idm: 100A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 36,4A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 16W Polarisierung: ...
Vishay
SIRA88DP-T1-GE3
ab € 0,135*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 37,8A; Idm: 70A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 37,8A Widerstand im Leitungszustand: 11,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIA468DJ-T1-GE3
ab € 821,25*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 20A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25W Polarisierung: unipola...
Vishay
SI2316BDS-T1-E3
ab € 0,267*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4,5A; Idm: 20A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,66W Polarisierung: unipola...
Vishay
SI2316BDS-T1-GE3
ab € 0,38*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 250A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 28,5W Polarisierung:...
Vishay
SIRA36DP-T1-GE3
ab € 0,29*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 27,5W Polarisierung: u...
Vishay
SIR820DP-T1-GE3
ab € 2.617,86*
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 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisierung: uni...
Vishay
SIR166DP-T1-GE3
ab € 2.447,94*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 6,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisierung: u...
Vishay
SIR460DP-T1-GE3
ab € 2.042,10*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 54W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 5,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 54W Polarisierung: u...
Vishay
SIR466DP-T1-GE3
ab € 0,42*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 3,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 40W Polarisierung: u...
Vishay
SIRA04DP-T1-GE3
ab € 0,44*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 3,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 40W Polarisierung: u...
Vishay
SIRA06DP-T1-GE3
ab € 0,40*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 3,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 43W Polarisierung...
Vishay
SISA04DN-T1-GE3
ab € 0,42*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 3,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 43W Polarisierung...
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SISHA04DN-T1-GE3
ab € 0,32*
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